IRLR8113TRRPBF

IRLR8113TRRPBF Infineon Technologies


IRLR8113PbF, IRLU8113PbF.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR8113TRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: D-Pak, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRLR8113TRRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR8113TRRPBF IRLR8113TRRPBF Виробник : Infineon / IR international rectifier_irlr8113pbf-1169182.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.