IRLR8259TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.03 грн |
| 10+ | 61.27 грн |
| 100+ | 39.04 грн |
| 500+ | 32.15 грн |
| 1000+ | 27.82 грн |
| 2000+ | 25.61 грн |
| 4000+ | 24.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8259TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRLR8259TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR8259TRPBF | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 76000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRLR8259TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLR8259TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLR8259TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRLR8259TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
|
 |
IRLR8259TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRLR8259TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V |
товару немає в наявності |