на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8721TRPBF Infineon
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLR8721TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR8721TRPBF | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLR8721TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRLR8721TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IRLR8721TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR8721TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8721TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl
MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8721TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8721TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.