IRLR8726PBF
Код товару: 106471
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 61 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2150/15
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8726PBF IR
- MOSFET,N-CH 30V 86A DPAK
- Transistor Type:Power MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:25A
- On State Resistance:5.8mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Max Voltage Vgs th:2.35V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:75W
- Transistor Case Style:D-PAK
Інші пропозиції IRLR8726PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 75 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IRLR8726PBF | International Rectifier |
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLR8726PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLR8726PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 86 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2150 @ 15, Qg, нКл = 23 @ 4,5 В, Rds = 5,8 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8726PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8726PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8726PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRLR8726PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.





