Продукція > JGSEMI > IRLR8726TR

IRLR8726TR JGSEMI

08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Виробник: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR JGSEMI TIRLR8726 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR8726TR JGSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

Інші пропозиції IRLR8726TR за ціною від 8.71 грн до 13.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR8726TR Виробник : UMW 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR UMW TIRLR8726 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR Виробник : Infineon 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR Виробник : Infineon 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR Виробник : Infineon 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR Виробник : Infineon 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR Виробник : Infineon 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR Виробник : International Rectifier 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRLR8726TRL; IRLR8726; IRLR8726TR; IRLR8726-GURT; IRLR8 IRLR8726TR TIRLR8726
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TR IRLR8726TR Виробник : UMW 08049f2a1991adc3c1483983ca81e877.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.