IRLR8726TR JGSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR8726; IRLR8726TRL; IRLR8726TR; SP001573950; SP001552846; SP001573108; IRLR8726TR JGSEMI TIRLR8726 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 8.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8726TR JGSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Інші пропозиції IRLR8726TR за ціною від 9.06 грн до 13.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR8726TR | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRLR8726TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRLR8726TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1610 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRLR8726TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRLR8726TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IRLR8726TR | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
товару немає в наявності |