IRLR8726TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 11137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1528+ | 19.92 грн |
| 10000+ | 17.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8726TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLR8726TRLPBF за ціною від 12.26 грн до 70.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR8726TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl |
на замовлення 759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLR8726TRLPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8726TRLPBF - IRLR8726TRLPBF - TRENCH < 40V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR8726TRLPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRLR8726TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRLR8726TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |