Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR8726TRPBF
IRLR8726TRPBF

IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.14 грн
4000+14.24 грн
6000+13.57 грн
10000+12.03 грн
14000+11.61 грн
20000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR8726TRPBF за ціною від 12.36 грн до 66.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.23 грн
4000+14.89 грн
6000+14.74 грн
10000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+18.09 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.65 грн
4000+16.11 грн
6000+15.95 грн
10000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+19.57 грн
1000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 340A
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.74 грн
19+22.29 грн
50+19.72 грн
100+18.59 грн
250+16.98 грн
500+15.86 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 340A
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.28 грн
11+27.78 грн
50+23.66 грн
100+22.31 грн
250+20.38 грн
500+19.03 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.62 грн
250+29.04 грн
1000+20.04 грн
2000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 32796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.29 грн
11+32.70 грн
100+23.18 грн
500+18.78 грн
1000+16.84 грн
2000+14.99 грн
4000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.25 грн
50+35.62 грн
250+29.04 грн
1000+20.04 грн
2000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 63369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.03 грн
10+39.20 грн
100+25.46 грн
500+18.34 грн
1000+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF
Код товару: 192200
Додати до обраних Обраний товар

irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1523+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.