IRLR8726TRPBF


infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf
Код товару: 192200
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR8726TRPBF за ціною від 16.52 грн до 122.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.63 грн
6000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.55 грн
10+44.99 грн
50+34.48 грн
56+17.45 грн
153+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 52537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.81 грн
10+69.61 грн
50+52.05 грн
100+43.51 грн
500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 7606 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+122.62 грн
10+57.07 грн
100+44.22 грн
500+34.76 грн
2000+29.05 грн
4000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF International Rectifier HiRel Products infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+53.54 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.63 грн
6000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
498+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 456 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+77.55 грн
10+44.99 грн
50+34.48 грн
56+17.45 грн
153+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 52537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.81 грн
10+69.61 грн
50+52.05 грн
100+43.51 грн
500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 7606 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.62 грн
10+57.07 грн
100+44.22 грн
500+34.76 грн
2000+29.05 грн
4000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 9095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineon-irlr8726-datasheet-en.pdf
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
683+53.54 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

91066-4
Код товару: 211243
Додати до обраних Обраний товар
DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=408-7491&DocType=SS&DocLang=EN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.