Інші пропозиції IRLR8726TRPBF за ціною від 11.33 грн до 67.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC |
на замовлення 31325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR8726TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 340A On-state resistance: 5.8mΩ Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR8726TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
на замовлення 56934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Виробник : International Rectifier |
N-CH MOSFET 30V 86A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |