Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR8726TRPBF
IRLR8726TRPBF

IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.77 грн
4000+13.91 грн
6000+13.26 грн
10000+11.75 грн
14000+11.34 грн
20000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLR8726TRPBF за ціною від 12.08 грн до 64.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+18.64 грн
4000+16.03 грн
6000+15.78 грн
10000+14.29 грн
14000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
531+23.34 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+25.24 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.10 грн
19+21.78 грн
50+19.27 грн
100+18.16 грн
250+16.59 грн
500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.52 грн
11+27.14 грн
50+23.12 грн
100+21.80 грн
250+19.91 грн
500+18.59 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.81 грн
250+28.37 грн
1000+19.58 грн
2000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLR8726-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 33315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.37 грн
11+31.95 грн
100+22.65 грн
500+18.34 грн
1000+16.46 грн
2000+14.64 грн
4000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.26 грн
50+34.81 грн
250+28.37 грн
1000+19.58 грн
2000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 66069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.51 грн
10+38.30 грн
100+24.87 грн
500+17.91 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF
Код товару: 192200
Додати до обраних Обраний товар

irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1523+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.