Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLR8726TRPBF

IRLR8726TRPBF

irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
Код товару: 192200
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLR8726TRPBF за ціною від 17.04 грн до 110.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.49 грн
4000+27.17 грн
6000+26.06 грн
10000+23.28 грн
14000+22.58 грн
20000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Pulsed drain current: 340A
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.67 грн
12+35.66 грн
100+22.25 грн
250+19.11 грн
500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 56378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.56 грн
10+67.16 грн
100+44.70 грн
500+32.91 грн
1000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 19711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies infineonirlr8726datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF International Rectifier HiRel Products irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1523+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+30.49 грн
4000+27.17 грн
6000+26.06 грн
10000+23.28 грн
14000+22.58 грн
20000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
498+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.8mΩ
Pulsed drain current: 340A
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.67 грн
12+35.66 грн
100+22.25 грн
250+19.11 грн
500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 56378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.56 грн
10+67.16 грн
100+44.70 грн
500+32.91 грн
1000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 19711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF infineonirlr8726datasheeten.pdf
IRLR8726TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 6430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1523+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 1523 шт
В кошику  од. на суму  грн.