IRLR8726TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 15.90 грн |
| 4000+ | 13.02 грн |
| 6000+ | 12.64 грн |
| 10000+ | 11.75 грн |
| 14000+ | 11.34 грн |
| 20000+ | 11.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8726TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLR8726TRPBF за ціною від 11.77 грн до 42.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 74000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 340A On-state resistance: 5.8mΩ Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 340A On-state resistance: 5.8mΩ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
на замовлення 67243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC |
на замовлення 33522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF Код товару: 192200
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLR8726TRPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |



