IRLR8729TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.86 грн |
| 9000+ | 17.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8729TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLR8729TRLPBF за ціною від 17.24 грн до 18.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR8729TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRLR8729TRLPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR8729TRLPBF - IRLR8729 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
 |
IRLR8729TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRLR8729TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRLR8729TRLPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 58A 8.9mOhm 30V 10nC Qg log lvl |
товару немає в наявності |