IRLR8743TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 33.72 грн |
| 4000+ | 30.11 грн |
| 6000+ | 29.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8743TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLR8743TRPBF за ціною від 29.20 грн до 149.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR8743TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR8743TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 54626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V |
на замовлення 6302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 135W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 54626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF Код товару: 184092
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRLR8743TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |