Інші пропозиції IRLR8743TRPBF за ціною від 26.51 грн до 136.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 135W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 52604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 160A Power dissipation: 135W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1998 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V |
на замовлення 6302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 135W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
на замовлення 52604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLR8743TRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори |
на замовлення 920 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 31.84 грн |
| 4000+ | 28.44 грн |
| 6000+ | 27.70 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 42.89 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 43.00 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 52604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.92 грн |
| 500+ | 40.84 грн |
| 1000+ | 36.92 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 583+ | 60.52 грн |
| 1000+ | 55.82 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.55 грн |
| 10+ | 57.56 грн |
| 100+ | 54.18 грн |
| 500+ | 49.10 грн |
| 1000+ | 46.56 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4880 pF @ 15 V
на замовлення 6302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.14 грн |
| 10+ | 69.02 грн |
| 100+ | 46.22 грн |
| 500+ | 34.21 грн |
| 1000+ | 31.26 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: INFINEON - IRLR8743TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 3100 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 135W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 52604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 116.51 грн |
| 50+ | 74.09 грн |
| 100+ | 52.92 грн |
| 500+ | 40.84 грн |
| 1000+ | 36.92 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.97 грн |
| 10+ | 75.13 грн |
| 100+ | 43.88 грн |
| 500+ | 34.60 грн |
| 1000+ | 31.58 грн |
| 2000+ | 29.04 грн |
| 4000+ | 26.51 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 104+ | 136.32 грн |
| 152+ | 93.03 грн |
| 154+ | 92.09 грн |
| 155+ | 87.92 грн |
| 217+ | 58.08 грн |
| 250+ | 55.20 грн |
| 500+ | 44.82 грн |
| 1000+ | 35.77 грн |
| IRLR8743TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK Транзистори
на замовлення 920 шт:
термін постачання 5 дні (днів)







