Інші пропозиції IRLR9343TRPBF за ціною від 28.25 грн до 137.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 23974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 23974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
на замовлення 8827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC |
на замовлення 4964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRLR9343TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 34.47 грн |
| 4000+ | 33.45 грн |
| 10000+ | 32.66 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 34.67 грн |
| 4000+ | 33.64 грн |
| 10000+ | 32.85 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 36.66 грн |
| 4000+ | 35.31 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 36.66 грн |
| 4000+ | 35.31 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 39.26 грн |
| 4000+ | 35.13 грн |
| 6000+ | 33.77 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 44.06 грн |
| 4000+ | 41.42 грн |
| 10000+ | 40.98 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.10 грн |
| 10+ | 84.86 грн |
| 100+ | 59.26 грн |
| 500+ | 45.72 грн |
| 1000+ | 38.86 грн |
| 2000+ | 30.30 грн |
| 4000+ | 29.99 грн |
| 6000+ | 29.69 грн |
| 10000+ | 28.25 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 114+ | 124.10 грн |
| 167+ | 84.86 грн |
| 239+ | 59.26 грн |
| 500+ | 45.72 грн |
| 1000+ | 38.86 грн |
| 2000+ | 30.30 грн |
| 4000+ | 29.99 грн |
| 6000+ | 29.69 грн |
| 10000+ | 28.25 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 8827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.16 грн |
| 10+ | 83.95 грн |
| 100+ | 56.53 грн |
| 500+ | 42.01 грн |
| 1000+ | 38.46 грн |
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR9343TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 32.13 грн |






