Інші пропозиції IRLR9343TRPBF за ціною від 22.52 грн до 110.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR9343TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR9343TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC |
на замовлення 9759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 23974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. ви кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLR9343TRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IRLR9343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRLR9343TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -20A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |