Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS3034TRLPBF
IRLS3034TRLPBF

IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies

irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+98.50 грн
1600+88.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції IRLS3034TRLPBF за ціною від 122.52 грн до 313.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineonirls3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+184.98 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.64 грн
10+175.45 грн
100+122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineonirls3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+282.53 грн
69+204.16 грн
100+145.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineonirls3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+313.72 грн
47+300.25 грн
50+288.81 грн
100+269.04 грн
250+241.56 грн
500+225.59 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRLS3034-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineonirls3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
у наявності 512 шт:
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF infineonirls3034datasheetv0101en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+184.98 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.64 грн
10+175.45 грн
100+122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF infineonirls3034datasheetv0101en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+282.53 грн
69+204.16 грн
100+145.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF infineonirls3034datasheetv0101en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+313.72 грн
47+300.25 грн
50+288.81 грн
100+269.04 грн
250+241.56 грн
500+225.59 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF Infineon-IRLS3034-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 3406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF infineonirls3034datasheetv0101en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
у наявності 512 шт:
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.