Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS3034TRLPBF
IRLS3034TRLPBF

IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies

irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+91.28 грн
1600+81.91 грн
2400+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLS3034TRLPBF за ціною від 81.05 грн до 315.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineonirls3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.25 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.39 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineonirls3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707 Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.49 грн
10+162.56 грн
100+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRLS3034-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.54 грн
10+175.08 грн
100+106.43 грн
500+82.46 грн
800+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON 667372.pdf Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.45 грн
10+190.77 грн
100+132.39 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies infineonirls3034datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.83 грн
47+302.27 грн
50+290.75 грн
100+270.85 грн
250+243.18 грн
500+227.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF infineonirls3034datasheetv0101en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
109+130.25 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+132.39 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF infineonirls3034datasheetv0101en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
190+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF irls3034pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671b7472707
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+258.49 грн
10+162.56 грн
100+113.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF Infineon-IRLS3034-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+270.54 грн
10+175.08 грн
100+106.43 грн
500+82.46 грн
800+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF 667372.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+289.45 грн
10+190.77 грн
100+132.39 грн
500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF infineonirls3034datasheetv0101en.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
45+315.83 грн
47+302.27 грн
50+290.75 грн
100+270.85 грн
250+243.18 грн
500+227.10 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.