IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 110.17 грн |
| 1600+ | 105.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLS3036TRL7PP за ціною від 98.16 грн до 330.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLS3036TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 1kA Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A On-state resistance: 1.9mΩ Power dissipation: 380W Gate-source voltage: ±16V Case: D2PAK-7 |
на замовлення 317 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLS3036TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7 |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |