IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 145.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 380W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.
Інші пропозиції IRLS3036TRL7PP за ціною від 133.08 грн до 389.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Mounting: SMD Case: D2PAK-7 Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 380W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 210A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.9mΩ |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 150.74 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 150.74 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 151.43 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 151.44 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.9mΩ
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.52 грн |
| 6+ | 184.31 грн |
| 10+ | 177.61 грн |
| 15+ | 174.26 грн |
| 25+ | 167.56 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 375.49 грн |
| 10+ | 252.95 грн |
| 50+ | 244.18 грн |
| 100+ | 145.16 грн |
| 800+ | 133.08 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 375.49 грн |
| 58+ | 252.95 грн |
| 60+ | 244.18 грн |
| 100+ | 145.16 грн |
| 800+ | 133.08 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 389.15 грн |
| 10+ | 248.82 грн |
| 50+ | 194.68 грн |
| 100+ | 166.36 грн |




