IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 380W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.
Інші пропозиції IRLS3036TRL7PP за ціною від 128.49 грн до 369.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.9mΩ Pulsed drain current: 1kA Gate-source voltage: ±16V |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V |
на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 145.54 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 145.54 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 146.21 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 146.22 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 274.40 грн |
| 10+ | 171.84 грн |
| 25+ | 169.30 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 362.55 грн |
| 10+ | 244.23 грн |
| 50+ | 235.76 грн |
| 100+ | 140.15 грн |
| 800+ | 128.49 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 362.55 грн |
| 58+ | 244.23 грн |
| 60+ | 235.76 грн |
| 100+ | 140.15 грн |
| 800+ | 128.49 грн |
| IRLS3036TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 369.47 грн |
| 10+ | 236.25 грн |
| 50+ | 184.83 грн |
| 100+ | 157.92 грн |