Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS3036TRL7PP
IRLS3036TRL7PP

IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies

irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+103.50 грн
1600+93.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLS3036TRL7PP за ціною від 112.07 грн до 369.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls30367ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.16 грн
1600+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls30367ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.22 грн
1600+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.52 грн
10+172.23 грн
25+169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.63 грн
10+182.19 грн
100+128.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRLS3036_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.21 грн
10+217.23 грн
100+133.92 грн
500+123.34 грн
800+112.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.21 грн
10+245.04 грн
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls30367ppbf.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+135.16 грн
1600+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls30367ppbf.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+136.22 грн
1600+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 1kA
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+248.52 грн
10+172.23 грн
25+169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+288.63 грн
10+182.19 грн
100+128.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP Infineon_IRLS3036_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+332.21 грн
10+217.23 грн
100+133.92 грн
500+123.34 грн
800+112.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+369.21 грн
10+245.04 грн
100+173.50 грн
500+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.