Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS3036TRL7PP
IRLS3036TRL7PP

IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies

irls3036-7ppbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+108.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLS3036TRL7PP за ціною від 95.94 грн до 268.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irls30367ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+116.76 грн
115+110.67 грн
116+109.57 грн
118+104.02 грн
250+95.94 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.25 грн
1600+113.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irls30367ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+125.10 грн
10+118.57 грн
25+117.39 грн
100+111.45 грн
250+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irls30367ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+142.49 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 380W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.73 грн
10+163.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.83 грн
10+150.60 грн
100+138.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 380W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.47 грн
10+203.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLS3036_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.99 грн
10+167.62 грн
100+133.22 грн
800+112.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.12 грн
10+186.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Виробник : Infineon Technologies irls30367ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.