IRLS3813TRLPBF Infineon / IR


Infineon_IRLS3813_DataSheet_v01_01_EN-1733026.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS3813TRLPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRLS3813TRLPBF за ціною від 212.71 грн до 250.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLS3813TRLPBF Infineon Technologies irls3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d1082710 Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.77 грн
10+212.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3813TRLPBF irls3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d1082710
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+250.77 грн
10+212.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.