Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLS4030PBF

IRLS4030PBF

irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715
Код товару: 130902
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLS4030PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLS4030PBF International Rectifier irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715 IRLS 4030 PBF TO263 IRF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBF IRLS4030PBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBF IRLS4030PBF Infineon Technologies Infineon_IRLS4030_DataSheet_v01_01_EN-1228527.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 87nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBF irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715
Виробник: International Rectifier
IRLS 4030 PBF TO263 IRF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBF irls4030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671e1fd2715
IRLS4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030PBF Infineon_IRLS4030_DataSheet_v01_01_EN-1228527.pdf
IRLS4030PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 87nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.