IRLS4030TRLPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 141.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS4030TRLPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLS4030TRLPBF за ціною від 90.55 грн до 278.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS4030TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRLS4030TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRLS4030TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRLS4030TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel |
товару немає в наявності |