Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBF

IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irls4030-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+143.76 грн
2400+127.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

Інші пропозиції IRLS4030TRLPBF за ціною від 141.06 грн до 414.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+235.07 грн
500+222.89 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies irls4030pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+364.20 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies infineon-irls4030-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.10 грн
10+244.97 грн
50+192.01 грн
100+164.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Infineon Technologies infineon_irls4030_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+414.01 грн
10+213.44 грн
100+169.27 грн
500+141.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF INFINEON 332466.pdf Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF INFINEON 332466.pdf Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF irls4030pbf.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
156+235.07 грн
500+222.89 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF irls4030pbf.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+362.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF irls4030pbf.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+364.20 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF infineon-irls4030-datasheet-en.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+382.10 грн
10+244.97 грн
50+192.01 грн
100+164.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF infineon_irls4030_datasheet_en.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.01 грн
10+213.44 грн
100+169.27 грн
500+141.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF 332466.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF 332466.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.