Продукція > ON SEMICONDUCTOR > IRLS640A
IRLS640A

IRLS640A ON Semiconductor

irls640a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS640A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IRLS640A за ціною від 43.82 грн до 158.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLS640A IRLS640A Виробник : ON Semiconductor irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640A IRLS640A Виробник : ON Semiconductor irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+85.14 грн
10+80.37 грн
100+71.23 грн
250+61.12 грн
500+52.82 грн
1000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640A IRLS640A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003591120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.16 грн
10+132.69 грн
100+87.92 грн
500+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640A IRLS640A Виробник : onsemi / Fairchild IRLS640A_D-1810367.pdf MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.32 грн
10+139.36 грн
25+118.28 грн
100+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640A Виробник : FAIRCHILD irls640a-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640A IRLS640A Виробник : ON Semiconductor 3651538083533722irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS640A IRLS640A Виробник : onsemi irls640a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.