Технічний опис IRLS640A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 40W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.
Інші пропозиції IRLS640A за ціною від 70.14 грн до 211.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLS640A | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRLS640A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
IRLS640A | onsemi |
MOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IRLS640A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IRLS640A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IRLS640A | FAIRCHILD |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLS640A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 70.14 грн |
| IRLS640A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 211.08 грн |
| IRLS640A |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level
MOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLS640A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLS640A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)