Продукція > ONSEMI > IRLS640A
IRLS640A

IRLS640A ONSEMI

ONSM-S-A0003591120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLS640A ONSEMI

Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції IRLS640A за ціною від 43.55 грн до 145.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLS640A IRLS640A Виробник : onsemi irls640a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRLS640A IRLS640A Виробник : ON Semiconductor 3651538083533722irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLS640A IRLS640A Виробник : ON Semiconductor 3651538083533722irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
194+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 194
IRLS640A IRLS640A Виробник : ON Semiconductor 3651538083533722irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+96.31 грн
10+ 84.23 грн
100+ 71.05 грн
250+ 66.62 грн
500+ 55.1 грн
1000+ 43.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLS640A IRLS640A Виробник : onsemi / Fairchild IRLS640A_D-1810367.pdf MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.28 грн
10+ 127.89 грн
25+ 108.55 грн
100+ 89.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS640A Виробник : FAIRCHILD irls640a-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRLS640A IRLS640A Виробник : ON Semiconductor 3651538083533722irls640a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній