
IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 7.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLTS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLTS2242TRPBF за ціною від 7.06 грн до 45.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 35088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.9A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V |
на замовлення 28078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.9A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 69714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF Код товару: 106324
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLTS2242TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |