Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLTS6342TRPBF
IRLTS6342TRPBF

IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies

irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.29 грн
6000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLTS6342TRPBF за ціною від 8.04 грн до 42.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlts6342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.24 грн
22+20.19 грн
25+17.14 грн
50+15.10 грн
100+13.57 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLTS6342_DataSheet_v01_01_EN-3363547.pdf MOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.24 грн
12+27.64 грн
100+16.07 грн
500+12.40 грн
1000+10.43 грн
3000+8.74 грн
9000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+24.97 грн
100+15.95 грн
500+11.33 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a IRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+29.24 грн
22+20.19 грн
25+17.14 грн
50+15.10 грн
100+13.57 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF Infineon_IRLTS6342_DataSheet_v01_01_EN-3363547.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.24 грн
12+27.64 грн
100+16.07 грн
500+12.40 грн
1000+10.43 грн
3000+8.74 грн
9000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a
IRLTS6342TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.03 грн
13+24.97 грн
100+15.95 грн
500+11.33 грн
1000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a
IRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.