IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRLTS6342TRPBF за ціною від 8.27 грн до 43.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 5507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V |
на замовлення 4403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable |
на замовлення 8826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 688 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLTS6342TRPBF |
IRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 110 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |