IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies


irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.02 грн
6000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRLTS6342TRPBF за ціною від 9.66 грн до 50.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.78 грн
9000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
9000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+19.95 грн
1250+11.24 грн
1328+10.58 грн
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlts6342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 8.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
19+22.65 грн
25+19.11 грн
50+16.72 грн
100+14.91 грн
500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.80 грн
13+24.24 грн
100+15.48 грн
500+11.00 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.27 грн
23+32.69 грн
26+29.77 грн
100+21.04 грн
250+18.24 грн
500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLTS6342_DataSheet_v01_01_EN-3363547.pdf MOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON 1561362.pdf Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON 1561362.pdf Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a IRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3049+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 3049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.78 грн
9000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.94 грн
9000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
705+19.95 грн
1250+11.24 грн
1328+10.58 грн
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
472+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 8.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
19+22.65 грн
25+19.11 грн
50+16.72 грн
100+14.91 грн
500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.80 грн
13+24.24 грн
100+15.48 грн
500+11.00 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF infineon-irlts6342-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.27 грн
23+32.69 грн
26+29.77 грн
100+21.04 грн
250+18.24 грн
500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF Infineon_IRLTS6342_DataSheet_v01_01_EN-3363547.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF 1561362.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF 1561362.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a
IRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.