IRLU024NPBF (транзистор)
Код товару: 73061
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLU024NPBF (транзистор) за ціною від 29.72 грн до 141.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 16708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 78462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2212 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 37166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 78470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 46W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 7007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 35.38 грн |
| 12000+ | 35.04 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 35.38 грн |
| 12000+ | 35.04 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 78462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 232+ | 60.95 грн |
| 279+ | 50.62 грн |
| 325+ | 43.51 грн |
| 525+ | 34.74 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 69.18 грн |
| 11+ | 42.31 грн |
| 25+ | 38.28 грн |
| 50+ | 35.71 грн |
| 75+ | 34.86 грн |
| 150+ | 32.89 грн |
| 525+ | 29.72 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 125.79 грн |
| 13+ | 59.31 грн |
| 75+ | 49.82 грн |
| 150+ | 41.62 грн |
| 525+ | 35.66 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 113+ | 125.79 грн |
| 238+ | 59.31 грн |
| 284+ | 49.82 грн |
| 327+ | 41.62 грн |
| 525+ | 35.66 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 37166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.08 грн |
| 10+ | 78.39 грн |
| 75+ | 55.00 грн |
| 150+ | 46.25 грн |
| 525+ | 38.61 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 78470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 141.11 грн |
| 13+ | 61.20 грн |
| 75+ | 50.82 грн |
| 150+ | 42.12 грн |
| 525+ | 32.29 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 7007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 22 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-22K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4661
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 22 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 22 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 50 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 435 шт
- 435 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1419 шт
- 1419 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4120
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 7780 шт
- 2780 шт - склад
- 5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| 16 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-16K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1781
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 16 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 16 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 9110 шт
- 5745 шт - склад
- 330 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 590 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 70 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2375 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 47uF 10V EMRL 5x7mm (Super miniature size) (EMRL470M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1442
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: EMRL
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x7 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: EMRL
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x7 мм
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 364 шт
- 93 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 124 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 147 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 296 шт
- 296 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| 3 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-3KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1338
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 3 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 3 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 4000 шт
- 4000 шт - склад
очікується: 20000 шт
- 20000 шт - очікується 01.11.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |













