IRLU024NPBF (транзистор)
Код товару: 73061
Виробник: IRКорпус: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності 184 шт:
147 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLU024NPBF (транзистор) за ціною від 16.81 грн до 98.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 64438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 313 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 6424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 64453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 5568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
на замовлення 4543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRLU024NPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
TO-251 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| HEF4001BT.653 Код товару: 28433
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Logic Gates QUADRUPLE 2-INPUT NOR GATE
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15,5 V
T°C: -40…+85°C
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Logic Gates QUADRUPLE 2-INPUT NOR GATE
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15,5 V
T°C: -40…+85°C
у наявності: 501 шт
501 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 9.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 510 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-510R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4367
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 510 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 510 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 6426 шт
6426 шт - склад
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.15 грн |
| 10000+ | 0.12 грн |
| 2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4120
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 1400 шт
1400 шт - склад
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 30.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.15 грн |
| 10000+ | 0.12 грн |
| 1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2431
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 39 шт
35 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 30.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 5.00 грн |
| 12+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.00 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |
| 330uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2425
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
6000 шт
6000 шт - очікується 12.03.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 5.00 грн |
| 12+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.60 грн |









