IRLU024NPBF (транзистор)
Код товару: 73061
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 27.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRLU024NPBF (транзистор) за ціною від 25.63 грн до 143.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 20938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 68244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 46W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 15450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 68265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
на замовлення 12896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLU024NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 34515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 33.25 грн |
| 12000+ | 32.46 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 33.25 грн |
| 12000+ | 32.46 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 68244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 236+ | 60.22 грн |
| 282+ | 50.43 грн |
| 500+ | 41.44 грн |
| 1000+ | 38.45 грн |
| 2500+ | 30.24 грн |
| 12000+ | 28.22 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 229+ | 62.09 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 62.46 грн |
| 12+ | 37.74 грн |
| 25+ | 34.29 грн |
| 50+ | 31.94 грн |
| 75+ | 31.10 грн |
| 150+ | 29.25 грн |
| 525+ | 26.56 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 15450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 121.38 грн |
| 11+ | 75.84 грн |
| 100+ | 49.21 грн |
| 500+ | 35.18 грн |
| 1000+ | 30.24 грн |
| 5000+ | 25.63 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 68265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 121.60 грн |
| 13+ | 60.37 грн |
| 100+ | 50.55 грн |
| 500+ | 40.06 грн |
| 1000+ | 35.69 грн |
| 2500+ | 29.10 грн |
| 12000+ | 28.29 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 12896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.94 грн |
| 10+ | 85.92 грн |
| 100+ | 49.16 грн |
| 500+ | 38.61 грн |
| 1000+ | 33.03 грн |
| 3000+ | 29.89 грн |
| 6000+ | 26.53 грн |
| IRLU024NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 34515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.76 грн |
| 75+ | 61.78 грн |
| 150+ | 55.36 грн |
| 525+ | 43.37 грн |
| 1050+ | 39.65 грн |
| 2025+ | 36.68 грн |
| 5025+ | 32.74 грн |
| 10050+ | 30.67 грн |
З цим товаром купують
| L78M12ABDT-TR Інтегральна схема Код товару: 36040
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 0,5 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uin, V: 35 V
Uout,V: 12 V
Iout,A: 0,5 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
у наявності: 148 шт
- 102 шт - склад
- 46 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.50 грн |
| 100+ | 11.90 грн |
| Флюс F-2000 (20г) Код товару: 35669
26
Додати до обраних
Обраний товар
|
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Не дає корозії і витоків у місці пайки, навіть без видалення залишків флюсу.
Вага/Обʼєм/К-сть: 20 g
Консистенція: Паста-гель
Категорія: Флюс
Опис: Не дає корозії і витоків у місці пайки, навіть без видалення залишків флюсу.
Вага/Обʼєм/К-сть: 20 g
Консистенція: Паста-гель
у наявності: 454 шт
- 396 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40 шт
- 40 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 53.00 грн |
| 10+ | 47.90 грн |
| 22uF 25V size-C 10% (293D226X9025C2TE3) Код товару: 33499
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-C
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 25 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-C
у наявності: 144 шт
- 60 шт - склад
- 36 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| MER 4,7uF 400V K (+/-10%), P = 27,5mm, 20x29x30mm (MER475K2GB-Hitano) (конденсатор плівковий) Код товару: 23356
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 4,7 µF
Ном.напруга: 400 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 20x29x30 mm
Part Number: MER475K2GB
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 4,7 µF
Ном.напруга: 400 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 20x29x30 mm
Part Number: MER475K2GB
у наявності: 381 шт
- 318 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 38 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 52.00 грн |
| 10+ | 47.50 грн |
| 100+ | 43.90 грн |
| 2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4120
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 9580 шт
- 9580 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |













