IRLU120NPBF Infineon Technologies
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 15.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU120NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRLU120NPBF за ціною від 15.90 грн до 104.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU120NPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRLU120NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLU120NPBF THT N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IRLU120NPBF Код товару: 48939
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 100 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRLU120NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv |
товару немає в наявності |