Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRLU120NPBF
IRLU120NPBF

IRLU120NPBF

irlr120npbf-1732870.pdf
Код товару: 48939
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+15.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLU120NPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 11A, I-PAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.185ohm
  • Power Dissipation:48W
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:10A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.185ohm
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:35A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vds:100V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRLU120NPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU120NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF description infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.