IRLU2905 JSMicro
Код товару: 189658
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: JSMicro
Корпус: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRLU2905 JSMicro
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU2905PBF Код товару: 184659
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: I-Pak Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 78 шт
41 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRLU2905
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLU2905 | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRLU2905 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |