IRLU2905Z
Код товару: 182753
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Примітка: Управление логическим уровнем
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRLU2905Z IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU2905PBF Код товару: 184659
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: I-Pak Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 78 шт
|
|
||||||
|
IRLU2905PBF Код товару: 45467
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: I-Pak Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 5 шт
|
|
| IRLU2905PBF Код товару: 184659
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 78 шт
- 41 шт - склад
- 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 38.50 грн |
| 10+ | 35.80 грн |
| IRLU2905PBF Код товару: 45467
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 39.00 грн |
| 10+ | 34.70 грн |
| 100+ | 30.00 грн |
Інші пропозиції IRLU2905Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU2905Z | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRLU2905Z |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику
од. на суму грн.





