IRLU3110ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU3110ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRLU3110ZPBF за ціною від 43.29 грн до 150.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 6975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
на замовлення 3916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
на замовлення 2612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 6975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRLU3110ZPBF Код товару: 32113 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 63 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRLU3110ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |