Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLU3114ZPBF
IRLU3114ZPBF

IRLU3114ZPBF Infineon Technologies

irlr3114zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d002d268d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLU3114ZPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLU3114ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRLU3114ZPBF IRLU3114ZPBF Infineon / IR international rectifier_irlr3114zpbf-1169143.pdf MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBF IRLU3114ZPBF INFINEON 28235.pdf Description: INFINEON - IRLU3114ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0039 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBF international rectifier_irlr3114zpbf-1169143.pdf
IRLU3114ZPBF
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 40V 130A 4.9mOhm 40nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3114ZPBF 28235.pdf
IRLU3114ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3114ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0039 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 130
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.