Технічний опис IRLU3410PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.
Інші пропозиції IRLU3410PBF за ціною від 27.56 грн до 109.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 39186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 39200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 5927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3410PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv |
на замовлення 5344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IRLU3410PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 52W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 3644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLU3410PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.00 грн |
| IRLU3410PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 355+ | 39.94 грн |
| 358+ | 39.53 грн |
| 500+ | 39.09 грн |
| 1000+ | 35.79 грн |
| 2500+ | 29.00 грн |
| 12000+ | 27.56 грн |
| IRLU3410PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 82.00 грн |
| 19+ | 40.16 грн |
| 100+ | 39.75 грн |
| 500+ | 37.91 грн |
| 1000+ | 33.32 грн |
| 2500+ | 28.00 грн |
| 12000+ | 27.71 грн |
| IRLU3410PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 108.93 грн |
| 10+ | 52.73 грн |
| 75+ | 43.53 грн |
| IRLU3410PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.26 грн |
| 75+ | 46.62 грн |
| 150+ | 41.72 грн |
| 525+ | 32.62 грн |
| 1050+ | 29.78 грн |
| 2025+ | 29.39 грн |
| IRLU3410PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 5344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLU3410PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)