IRLU3410PBF

IRLU3410PBF Infineon Technologies


infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
316+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 316
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLU3410PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLU3410PBF за ціною від 26.01 грн до 142.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+67.30 грн
250+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.81 грн
19+39.69 грн
100+39.29 грн
500+37.43 грн
1000+32.89 грн
2500+27.61 грн
12000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.16 грн
10+51.56 грн
75+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.72 грн
10+47.18 грн
100+37.00 грн
500+30.88 грн
1000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.79 грн
75+49.45 грн
150+44.26 грн
525+34.60 грн
1050+31.59 грн
2025+29.19 грн
5025+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.79 грн
13+62.71 грн
100+56.55 грн
500+43.85 грн
1000+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF Виробник : International Rectifier irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.