IRLU3410PBF Infineon Technologies


infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
316+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLU3410PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції IRLU3410PBF за ціною від 26.31 грн до 143.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+68.06 грн
250+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.73 грн
19+40.13 грн
100+39.73 грн
500+37.86 грн
1000+33.26 грн
2500+27.93 грн
12000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.28 грн
10+52.15 грн
75+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
75+50.01 грн
150+44.76 грн
525+34.99 грн
1050+31.95 грн
2025+29.51 грн
5025+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.48 грн
10+86.54 грн
100+49.44 грн
500+39.24 грн
1000+34.88 грн
3000+31.86 грн
6000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.58 грн
13+63.50 грн
100+56.86 грн
500+43.96 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
208+68.06 грн
250+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+82.73 грн
19+40.13 грн
100+39.73 грн
500+37.86 грн
1000+33.26 грн
2500+27.93 грн
12000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+100.28 грн
10+52.15 грн
75+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.09 грн
75+50.01 грн
150+44.76 грн
525+34.99 грн
1050+31.95 грн
2025+29.51 грн
5025+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.48 грн
10+86.54 грн
100+49.44 грн
500+39.24 грн
1000+34.88 грн
3000+31.86 грн
6000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.58 грн
13+63.50 грн
100+56.86 грн
500+43.96 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.