Технічний опис IRLU3636PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRLU3636PBF за ціною від 64.21 грн до 250.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU3636PBF | International Rectifier |
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
на замовлення 6533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU3636PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU3636PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU3636PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори |
на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRLU3636PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRLU3636PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 168+ | 84.02 грн |
| 174+ | 81.41 грн |
| IRLU3636PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 6533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 189+ | 108.26 грн |
| IRLU3636PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.53 грн |
| 10+ | 122.12 грн |
| 100+ | 94.24 грн |
| 500+ | 80.87 грн |
| 1000+ | 76.65 грн |
| 3000+ | 64.21 грн |
| IRLU3636PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 149.35 грн |
| 500+ | 134.06 грн |
| 1000+ | 123.48 грн |
| IRLU3636PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 173.94 грн |
| 10+ | 133.74 грн |
| 100+ | 108.30 грн |
| 500+ | 96.76 грн |
| 1000+ | 79.47 грн |
| IRLU3636PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 250.79 грн |
| IRLU3636PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 237+ | 149.35 грн |







