IRLU3636PBF Infineon Technologies
на замовлення 13138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 206+ | 57.42 грн |
| 210+ | 56.34 грн |
| 219+ | 54.17 грн |
| 222+ | 51.38 грн |
| 500+ | 47.49 грн |
| 1000+ | 44.24 грн |
| 2000+ | 43.48 грн |
| 3000+ | 43.22 грн |
| 6000+ | 42.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU3636PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRLU3636PBF за ціною від 61.37 грн до 122.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3636PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3636PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3636PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 99A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRLU3636PBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK |
на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRLU3636PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
товар відсутній |