IRLU7843PBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 233+ | 87.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU7843PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції IRLU7843PBF за ціною від 53.04 грн до 405.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU7843PBF | Виробник : International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
IRLU7843PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLU7843PBF - IRLU7843 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFETtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |



