Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLU7843PBF
IRLU7843PBF

IRLU7843PBF Infineon Technologies

infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLU7843PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції IRLU7843PBF за ціною від 55.08 грн до 142.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : International Rectifier IRSDS09616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : Infineon Technologies irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8 Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1050+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 1050
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr7843-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1060+111.43 грн
Мінімальне замовлення: 1060
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR7843_DataSheet_v01_01_EN-3363700.pdf MOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.23 грн
10+131.02 грн
100+101.59 грн
1000+92.88 грн
3000+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS09616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLU7843PBF - IRLU7843 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr7843pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; IPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: IPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : Infineon Technologies irlr7843pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566de53526d8 Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU7843PBF IRLU7843PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr7843pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; IPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.