IRLU8256PBF
Код товару: 33746
Виробник: IRКорпус: I-Pak
Uds,V: 25 V
Idd,A: 81 A
Rds(on), Ohm: 0,0057 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/10
Монтаж: THT
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU8256PBF IR
- MOSFET,N-CH 25V 81A IPAK
- Transistor Polarity:N
- Max Current Id:81A
- Max Voltage Vds:25V
- On State Resistance:5.7mohm
- Rds Measurement Voltage:10V
- Max Voltage Vgs:20V
- Power Dissipation:63W
- Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
- Transistor Case Style:I-PAK
- No. of Pins:3
- Case Style:I-PAK
- Cont Current Id:25A
- Max Voltage Vgs th:2.35V
- Power Dissipation Pd:63W
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Power MOSFET
- Typ Voltage Vds:25V
- Typ Voltage Vgs th:1.8V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRLU8256PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU8256PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|
;;3.jpg "IRLU8256PBF") |
IRLU8256PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 81A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V |
товар відсутній |
|
 |
IRLU8256PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 81A 5.7mOhm 25V 10nC Qg log lvl |
товар відсутній |