Технічний опис IRLZ24NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRLZ24NSTRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRLZ24NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl |
на замовлення 5383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLZ24NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 5383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




