Продукція > IR > IRLZ34NL

IRLZ34NL


irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Виробник: IR

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ34NL IR

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRLZ34NL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLZ34NL IRLZ34NL Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товар відсутній