IRLZ34NSTRLPBF


irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
Код товару: 172480
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLZ34NSTRLPBF за ціною від 31.71 грн до 165.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.87 грн
1600+39.78 грн
2400+38.04 грн
4000+33.86 грн
5600+32.77 грн
8000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.75 грн
1600+49.19 грн
2400+48.70 грн
4000+46.48 грн
5600+42.62 грн
8000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.15 грн
1600+49.57 грн
2400+49.07 грн
4000+46.85 грн
5600+42.95 грн
8000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.96 грн
1600+51.06 грн
2400+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.96 грн
1600+51.06 грн
2400+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.08 грн
25+55.55 грн
100+53.06 грн
250+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.08 грн
255+55.55 грн
257+55.03 грн
259+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.60 грн
250+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.81 грн
10+88.61 грн
50+69.25 грн
100+57.60 грн
250+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.04 грн
10+85.79 грн
100+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.71 грн
134+105.60 грн
136+104.53 грн
137+99.79 грн
182+69.53 грн
250+62.58 грн
500+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.45 грн
10+101.09 грн
100+59.50 грн
500+48.17 грн
800+43.25 грн
2400+40.37 грн
4800+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.04 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF International Rectifier/Infineon irlz34npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+150.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.87 грн
1600+39.78 грн
2400+38.04 грн
4000+33.86 грн
5600+32.77 грн
8000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.75 грн
1600+49.19 грн
2400+48.70 грн
4000+46.48 грн
5600+42.62 грн
8000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.15 грн
1600+49.57 грн
2400+49.07 грн
4000+46.85 грн
5600+42.95 грн
8000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.96 грн
1600+51.06 грн
2400+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.96 грн
1600+51.06 грн
2400+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+56.08 грн
25+55.55 грн
100+53.06 грн
250+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
252+56.08 грн
255+55.55 грн
257+55.03 грн
259+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 252
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF 107911.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.60 грн
250+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF 107911.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.81 грн
10+88.61 грн
50+69.25 грн
100+57.60 грн
250+50.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.04 грн
10+85.79 грн
100+57.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+144.71 грн
134+105.60 грн
136+104.53 грн
137+99.79 грн
182+69.53 грн
250+62.58 грн
500+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.45 грн
10+101.09 грн
100+59.50 грн
500+48.17 грн
800+43.25 грн
2400+40.37 грн
4800+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34ns.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
86+165.04 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34npbf.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
800+150.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.