Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLZ34NSTRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF

IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

irlz34ns.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+52.71 грн
1000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLZ34NSTRLPBF за ціною від 25.31 грн до 140.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ34NSTRLPBF
Код товару: 172480
Додати до обраних Обраний товар

irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.70 грн
1600+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.88 грн
1600+38.91 грн
2400+37.20 грн
4000+33.11 грн
5600+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
288+44.84 грн
291+44.39 грн
311+41.52 грн
328+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 288
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.47 грн
1600+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.21 грн
16+48.04 грн
25+47.56 грн
100+42.90 грн
250+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+52.71 грн
5000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.24 грн
250+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.10 грн
12+79.41 грн
50+72.64 грн
100+61.24 грн
250+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+113.88 грн
119+108.79 грн
250+104.43 грн
500+97.05 грн
1000+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.04 грн
10+91.19 грн
100+57.05 грн
500+40.84 грн
800+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.95 грн
10+86.49 грн
100+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.