Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLZ34NSTRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF

IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

irlz34ns.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLZ34NSTRLPBF за ціною від 27.85 грн до 119.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+35.88 грн
1600+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+42.71 грн
288+42.28 грн
291+41.85 грн
306+38.37 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+48.06 грн
16+39.66 грн
25+39.26 грн
100+37.48 грн
250+32.99 грн
500+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.77 грн
250+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+55.18 грн
239+51.12 грн
255+47.87 грн
500+45.93 грн
1000+35.28 грн
1600+32.97 грн
3200+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+56.40 грн
238+51.20 грн
250+48.85 грн
500+46.48 грн
1000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+94.87 грн
135+90.63 грн
250+86.99 грн
500+80.86 грн
1000+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 26435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+61.92 грн
100+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.38 грн
12+70.97 грн
50+62.32 грн
100+49.77 грн
250+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363701.pdf MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.02 грн
10+78.66 грн
100+49.98 грн
500+44.92 грн
800+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF
Код товару: 172480
Додати до обраних Обраний товар

irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.