Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLZ34NSTRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF

IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

irlz34ns.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRLZ34NSTRLPBF за ціною від 25.49 грн до 142.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.94 грн
250+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF
Код товару: 172480
Додати до обраних Обраний товар

irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+38.74 грн
1600+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+45.34 грн
25+44.88 грн
100+40.61 грн
250+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+50.85 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+50.85 грн
5000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+66.05 грн
194+65.39 грн
238+53.41 грн
337+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+78.39 грн
14+68.15 грн
50+61.51 грн
100+50.94 грн
250+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.15 грн
100+61.30 грн
500+52.51 грн
800+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+112.06 грн
119+107.05 грн
250+102.76 грн
500+95.50 грн
1000+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 23815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.00 грн
10+87.13 грн
100+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.