IRLZ44NPBF
Код товару: 35365
6
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 41 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,022 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
- 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 28 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45.00 грн |
| 10+ | 40.50 грн |
| 100+ | 36.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ44NPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:41A
- On State Resistance:0.022ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.8`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:83W
- Power Dissipation Pd:83W
- Pulse Current Idm:160A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRLZ44NPBF за ціною від 35.81 грн до 162.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 199008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 22mΩ Gate charge: 32nC Gate-source voltage: ±16V Kind of package: tube |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 25138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 199012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB |
на замовлення 57166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRLZ44NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 40437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 45.42 грн |
| 4000+ | 44.91 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 45.42 грн |
| 4000+ | 44.91 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 199008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 52.99 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 32nC
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 32nC
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 112.13 грн |
| 10+ | 71.95 грн |
| 50+ | 55.62 грн |
| 100+ | 50.11 грн |
| 250+ | 44.02 грн |
| 500+ | 40.12 грн |
| 1000+ | 36.82 грн |
| 1250+ | 35.81 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 25138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.21 грн |
| 10+ | 76.11 грн |
| 50+ | 57.05 грн |
| 100+ | 47.77 грн |
| 500+ | 37.65 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 144.76 грн |
| 16+ | 49.47 грн |
| 100+ | 46.91 грн |
| 500+ | 44.78 грн |
| 1000+ | 41.05 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 144.76 грн |
| 286+ | 49.47 грн |
| 301+ | 46.91 грн |
| 500+ | 44.78 грн |
| 1000+ | 41.05 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 199012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 162.74 грн |
| 16+ | 49.61 грн |
| 100+ | 46.91 грн |
| 500+ | 44.79 грн |
| 1000+ | 41.06 грн |
| 4000+ | 39.02 грн |
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
на замовлення 57166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRLZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IRLZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 40437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 10 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10K-Hitano) Код товару: 13787
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 11839 шт
- 8819 шт - склад
- 290 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1010 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1050 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 670 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
22
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 41636 шт
- 32058 шт - склад
- 957 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3035 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1186 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
- 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 2N2222 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 250 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 250 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 5126 шт
- 5057 шт - склад
- 31 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 18 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 4 шт
- 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1N5819 Код товару: 172113
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,6 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 25 А
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: DO-41
Зворотна напруга Vrrm, В: 40 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,6 В
Монтаж: THT
Імпульсний струм Ifsm, А: 25 А
у наявності: 5865 шт
- 5365 шт - склад
- 500 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| 220 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-220R-Hitano) (S) Код товару: 13744
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 Ом
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 11225 шт
- 9125 шт - склад
- 769 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 356 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 280 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 695 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1388 шт
- 1388 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |











