IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 47.88 грн |
| 1600+ | 42.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRLZ44NSTRLPBF за ціною від 37.51 грн до 151.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 69600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 69600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl |
на замовлення 4413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 55V 47A TO-263-3 (D2PAK) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IRLZ44NSTRLPBF Код товару: 75607
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRLZ44NSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |