Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLZ44NSTRLPBF
IRLZ44NSTRLPBF

IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies

irlz44nspbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
292+41.99 грн
295+41.57 грн
304+40.37 грн
313+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRLZ44NSTRLPBF за ціною від 36.19 грн до 111.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567221272727 Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+42.30 грн
1600+40.04 грн
2400+39.34 грн
4000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+44.30 грн
279+44.05 грн
280+43.89 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+44.98 грн
25+44.54 грн
100+41.71 грн
250+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLZ44NS_DataSheet_v01_01_EN-3363600.pdf MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.97 грн
10+70.23 грн
100+50.28 грн
500+39.18 грн
800+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567221272727 Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.38 грн
10+69.20 грн
100+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.61 грн
11+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF
Код товару: 75607
Додати до обраних Обраний товар

irlz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567221272727 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222829258BE4CF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44nspbf.pdf?ci_sign=54f1cf0a982b6a0bce7784544748b957c0758101 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222829258BE4CF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44nspbf.pdf?ci_sign=54f1cf0a982b6a0bce7784544748b957c0758101 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.