
IRLZ44ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
468+ | 65.08 грн |
520+ | 58.57 грн |
1000+ | 54.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLZ44ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ44ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRLZ44ZPBF за ціною від 18.80 грн до 104.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLZ44ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRLZ44ZPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IRLZ44ZPBF Код товару: 113451
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 55 V Idd,A: 51 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1620/24 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
![]() |
IRLZ44ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRLZ44ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |