
IRS2007SPBF Infineon Technologies
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 111.58 грн |
10+ | 98.14 грн |
25+ | 80.92 грн |
100+ | 66.43 грн |
250+ | 62.09 грн |
500+ | 54.88 грн |
1000+ | 43.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2007SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2007SPBF - Gate-Treiber, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, Leistungsschalter: MOSFET, Eingang: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Anzahl der Kanäle: -, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 10, Quellstrom: -, Spitzenausgangsstrom: 600, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 20, Eingabeverzögerung: 160, Ausgabeverzögerung: 150, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRS2007SPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRS2007SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRS2007SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRS2007SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRS2007SPBF | Виробник : INFINEON |
![]() Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Halbbrücke Leistungsschalter: MOSFET Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: - Spitzenausgangsstrom: 600 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 160 Ausgabeverzögerung: 150 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRS2007SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Kind of package: tube Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns Output current: -600...290mA Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRS2007SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Output Configuration: Half Bridge (2) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Applications: Battery Powered Current - Output / Channel: 600mA Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 200V Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Last Time Buy |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRS2007SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Kind of package: tube Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns Output current: -600...290mA Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side |
товару немає в наявності |