
IRS2011PBF Infineon Technologies
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
115+ | 106.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2011PBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Supplier Device Package: 8-PDIP, Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A, Part Status: Last Time Buy, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IRS2011PBF за ціною від 66.98 грн до 215.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Mounting: THT Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: DIP8 Kind of package: tube Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 1W Turn-on time: 85ns Turn-off time: 75ns Output current: -1...1A Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Last Time Buy DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Mounting: THT Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: DIP8 Kind of package: tube Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 1W Turn-on time: 85ns Turn-off time: 75ns Output current: -1...1A Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side |
товару немає в наявності |