IRS2011SPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 168.54 грн |
| 500+ | 159.11 грн |
| 1000+ | 150.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2011SPBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Part Status: Last Time Buy, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Number of Drivers: 2, Driven Configuration: Half-Bridge, Channel Type: Independent, Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns, Supplier Device Package: 8-SOIC, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Input Type: Inverting, Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IRS2011SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRS2011SPBF | Infineon Technologies |
  Gate Drivers 200V high & low-side,1A,60ns,DSO-8 |
на замовлення 18093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRS2011SPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 200V high & low-side,1A,60ns,DSO-8
Gate Drivers 200V high & low-side,1A,60ns,DSO-8
на замовлення 18093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)