IRS2101SPBF Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2101SPBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V, Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA, Part Status: Not For New Designs, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IRS2101SPBF за ціною від 56.21 грн до 151.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRS2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRS2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRS2101SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 160ns 130mA |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRS2101SPBF Код товару: 118999 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||
 |
IRS2101SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 230ns Turn-off time: 185ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRS2101SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 230ns Turn-off time: 185ns |
товар відсутній |