IRS2104SPBF
Код товару: 34367
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 0,13/0,27 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Примітка: Драйвер напівмоста
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 66.00 грн |
| 10+ | 59.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRS2104SPBF за ціною від 53.91 грн до 94.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRS2104SPBF | Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 11650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRS2104SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Turn-on time: 750ns Power: 625mW Kind of package: tube Case: SO8 Turn-off time: 185ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Topology: MOSFET half-bridge |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRS2104SPBF | Infineon Technologies |
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA |
на замовлення 20638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRS2104SPBF | Infineon Technologies |
Драйвер MOSFET, IGBT, Тип вх. сигн. = Неінвертуючий, I = 290 мА, Umax, B = 600, Uживл, В = 10...20, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °C = -40...+150, I2 = 600 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRS2104SPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
на замовлення 11650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 388+ | 91.28 грн |
| 500+ | 82.15 грн |
| 1000+ | 75.76 грн |
| 10000+ | 65.14 грн |
| IRS2104SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 185ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 185ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 94.52 грн |
| 25+ | 82.91 грн |
| IRS2104SPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 680ns 130mA
на замовлення 20638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRS2104SPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Драйвер MOSFET, IGBT, Тип вх. сигн. = Неінвертуючий, I = 290 мА, Umax, B = 600, Uживл, В = 10...20, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °C = -40...+150, I2 = 600 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
Драйвер MOSFET, IGBT, Тип вх. сигн. = Неінвертуючий, I = 290 мА, Umax, B = 600, Uживл, В = 10...20, К-сть вих. = 2, Конфіг. = 2 напівмостових драйвери, Тексп, °C = -40...+150, I2 = 600 мА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 62.90 грн |
| 190+ | 53.91 грн |
З цим товаром купують
| 100nF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo) Код товару: 105040
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 100 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 нФ
Номін.напруга: 100 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 6358 шт
- 5839 шт - склад
- 495 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 24 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 46 шт
- 46 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 10000+ | 0.60 грн |
| 3300uF 25V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR332M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 13554
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 16x31 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 16x31 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 15 шт
- 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 17.00 грн |
| 10+ | 15.20 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.90 грн |
| IRFP250 (IRFP250PBF) Код товару: 7938
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 51 шт
- 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 32 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 72.00 грн |
| 10+ | 65.00 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| 33 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-33R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4559
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 33 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 33 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 11276 шт
- 6870 шт - склад
- 1400 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 389 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5000 шт
- 5000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2453
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 18x36 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 18x36 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується 29.08.2026
на замовлення: 12 шт
- 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
| 100+ | 22.50 грн |











