IRS2108SPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.51 грн |
| 10+ | 90.61 грн |
| 25+ | 82.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2108SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2108SPBF - MOSFET-IC, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 220ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRS2108SPBF за ціною від 57.08 грн до 165.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRS2108SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 6352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRS2108SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 10V to 20V |
на замовлення 4053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRS2108SPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2108SPBF - MOSFET-IC, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 600mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRS2108SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 320ns Turn-off time: 235ns |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRS2108SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -600...290mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 320ns Turn-off time: 235ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRS2108SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRS2108SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |