на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 167.71 грн |
| 10+ | 140.47 грн |
| 95+ | 97.18 грн |
| 570+ | 85.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2123SPBF Infineon / IR
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 80ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IRS2123SPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRS2123SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 80ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |