IRS2153DSTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.4V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 43.96 грн |
| 5000+ | 41.34 грн |
| 7500+ | 40.84 грн |
| 12500+ | 37.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2153DSTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2153DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10.1V bis 16.8V Versorgung, 180mA /260mAout, 15.4V Sperrspannung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 260mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 180mA, Versorgungsspannung, min.: 10.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 16.8V, Eingabeverzögerung: -, Ausgabeverzögerung: -, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRS2153DSTRPBF за ціною від 40.60 грн до 104.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRS2153DSTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2153DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10.1V bis 16.8V Versorgung, 180mA /260mAout, 15.4V Sperrspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 260mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 180mA Versorgungsspannung, min.: 10.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 16.8V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 15.4V Input Type: RC Input Circuit High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 13290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us |
на замовлення 4239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2153DSTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2153DSTRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10.1V bis 16.8V Versorgung, 180mA /260mAout, 15.4V Sperrspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 260mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 180mA Versorgungsspannung, min.: 10.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 16.8V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRS2153DSTRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC |
на замовлення 715 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.26A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRS2153DSTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRS2153DSTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -260...180mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10.1...16.8V DC Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 0.12µs Turn-off time: 50ns |
товару немає в наявності |