
IS25LP512M-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 1.6ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 555.38 грн |
10+ | 497.57 грн |
25+ | 482.47 грн |
50+ | 442.02 грн |
100+ | 431.33 грн |
250+ | 417.33 грн |
500+ | 400.21 грн |
1000+ | 390.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS25LP512M-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-WSON (8x6), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 1.6ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS25LP512M-JLLE-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS25LP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; DTR,QPI,SPI; 133MHz; 2.3÷3.6V; WSON8 Interface: DTR; QPI; SPI Memory: 512Mb FLASH Kind of memory: NOR Flash Operating temperature: -40...105°C Kind of package: reel; tape Operating frequency: 133MHz Case: WSON8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating voltage: 2.3...3.6V Type of integrated circuit: FLASH memory кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS25LP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS25LP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS25LP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V Technology: FLASH - NOR Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 1.6ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS25LP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS25LP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; DTR,QPI,SPI; 133MHz; 2.3÷3.6V; WSON8 Interface: DTR; QPI; SPI Memory: 512Mb FLASH Kind of memory: NOR Flash Operating temperature: -40...105°C Kind of package: reel; tape Operating frequency: 133MHz Case: WSON8 Kind of interface: serial Mounting: SMD Operating voltage: 2.3...3.6V Type of integrated circuit: FLASH memory |
товару немає в наявності |