IS25LP512MG-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 5.5 ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: FLASH - NOR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 1ms
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 452.55 грн |
| 10+ | 405.79 грн |
| 25+ | 393.55 грн |
| 50+ | 360.62 грн |
| 100+ | 351.94 грн |
| 480+ | 332.55 грн |
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Технічний опис IS25LP512MG-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS25LP512MG-JLLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s), tariffCode: 85423275, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Serial-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WSON, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.3V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: SPI, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS25LP512MG-JLLE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IS25LP512MG-JLLE | ISSI |
NOR Flash 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IS25LP512MG-JLLE | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS25LP512MG-JLLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s) tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS25LP512MG-JLLE |
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Виробник: ISSI
NOR Flash 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS
NOR Flash 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IS25LP512MG-JLLE |
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Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS25LP512MG-JLLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS25LP512MG-JLLE - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)