Технічний опис IS25WP512M-JLLE-TR ISSI
Description: 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NOR (SLC), Clock Frequency: 112 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-WSON (8x6), Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 1ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS25WP512M-JLLE-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IS25WP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
IS25WP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NOR (SLC) Clock Frequency: 112 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-WSON (8x6) Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 1ms Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI, DTR Memory Organization: 64M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IS25WP512M-JLLE-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |