%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42RM32160E-75BLI")
Технічний опис IS42RM32160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Clock frequency: 133MHz, Access time: 7.5ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 2.3...3V DC.
Інші пропозиції IS42RM32160E-75BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42RM32160E-75BLI | ISSI |
 DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IS42RM32160E-75BLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 133MHz Access time: 7.5ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 2.3...3V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS42RM32160E-75BLI |
|
Виробник: ISSI
DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IS42RM32160E-75BLI |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.3...3V DC
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.3...3V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.