Технічний опис IS42S16160G-5BL ISSI
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8), Memory Interface: Parallel, Access Time: 5 ns, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified. 
Інші пропозиції IS42S16160G-5BL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
|   | IS42S16160G-5BL | Виробник : ISSI |  DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | товару немає в наявності | |
|   | IS42S16160G-5BL | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |  Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | |
|   | IS42S16160G-5BL | Виробник : ISSI |  DRAM 256Mb, 3.3V, 200Mhz 16Mx16 SDR SDRAM | товару немає в наявності | 
