IS42S16160J-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S16160J-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 54-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS42S16160J-6BL-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42S16160J-6BL-TR | ISSI |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IS42S16160J-6BL-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Mounting: SMD Supply voltage: 3...3.6V DC Access time: 6ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 4Mx16bitx4 Kind of package: reel; tape Case: TFBGA54 Kind of memory: SDRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IS42S16160J-6BL-TR | ISSI |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS42S16160J-6BL-TR |
|
Виробник: ISSI
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IS42S16160J-6BL-TR |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA54
Kind of memory: SDRAM
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 6ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 166MHz
Memory: 256Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TFBGA54
Kind of memory: SDRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS42S16160J-6BL-TR |
|
Виробник: ISSI
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.