IS42S16160J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S16160J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS42S16160J-6BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42S16160J-6BLI | ISSI |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IS42S16160J-6BLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA54 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IS42S16160J-6BLI | ISSI |
DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IS42S16160J-6BLI | ISSI |
DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS42S16160J-6BLI |
|
Виробник: ISSI
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IS42S16160J-6BLI |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA54
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 3...3.6V DC
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA54
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS42S16160J-6BLI |
|
Виробник: ISSI
DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS42S16160J-6BLI |
|
Виробник: ISSI
DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
DRAM Chip SDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику
од. на суму грн.