Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S16800F-6BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54, tariffCode: 85423245, DRAM-Ausführung: SDR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 128Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: IS42S, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS42S16800F-6BLI за ціною від 255.71 грн до 255.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS42S16800F-6BLI | ISSI |
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IS42S16800F-6BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54tariffCode: 85423245 DRAM-Ausführung: SDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: IS42S productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IS42S16800F-6BLI | ISSI |
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V |
на замовлення 7030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS42S16800F-6BLI |
![]() |
Виробник: ISSI
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 255.71 грн |
| IS42S16800F-6BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S16800F-6BLI - SDRAM, 8M x 16 Bit, 5.4ns, parallele Schnittstelle, BGA-54
tariffCode: 85423245
DRAM-Ausführung: SDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: IS42S
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS42S16800F-6BLI |
![]() |
Виробник: ISSI
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




